我有这个问题。控制器是否具有更多的闪存，从控制器消耗更多的能量，而类型的闪存更少，并且所有其他参数都相等。这个问题是理论上的。我会对 RAM 提出同样的要求吗？
通常，高密度(容量(存储器采用较小的(即14nm(工艺制成，其中您获得的尺寸越小，您获得的(DC(泄漏电流就越多。 这是通过硅泄漏的未使用的能量。 这也取决于硅芯片的物理尺寸和芯片数量。 当存储芯片堆叠时，该区域是附加的(直流电源(。 因此，较旧的 1MB 闪存芯片堆叠 8 级比 1 级 8MB 芯片的漏电流高得多。
更大的能源消耗者是电压*电流*频率(AC(项。 DRAM的功耗约为75%，但不确定闪存的比例是多少，可能相似。
在增加功率方面通常有空闲、读取、列更改(DRAM(、写入、刷新(DRAM(，其次是擦除(Flash(。
最新的记忆在空闲时变得非常高效。 所以以上75%目前可能高达85%以上。 我有一段时间没有计算或测量了，对不起。
SRAM 仅使用每次读取或写入的功率。 其余时间几乎没有。
一些澄清：
-
动态功耗与
<data change frequency> x <Capacitance> x <Voltage^2>成正比，这里的C代表电容，而不是电流。这是执行读/写/擦除操作时的主要因素。 -
漏电功率与面积或逻辑/SRAM/闪存成正比。这是逻辑/SRAM/闪存空闲时的主要因素。
-
与片内SRAM通信比片外闪存更节能，因为通信会消耗额外的功率：信号通过焊盘单元驱动，其工作电压通常是标准逻辑的两到四倍。板载导线的电容比片上布线高几个数量级，数据需要多次复制到FLASH接口主从侧的内部翻牌，以支持通信协议并同步信号。这意味着SRAM访问延迟低于对闪存的访问。
-
除了更便宜之外，带有闪存的系统也是模块化的 - 同一芯片可以在具有不同闪存尺寸的多个板上使用。
-
闪存块在无法使用之前可以支持的写入/擦除周期数有限。较大的闪存设备可以将写入/擦除操作分散到一组较大的内存块上，从而延长有效寿命和有效大小。