我在uart外围有几个超支错误,因为我一直在接收uart数据,而我的代码处于失速状态,因为我在flash 上执行写入操作。p>我正在使用UART中断,并在应用程序注释AN3969上进行了解释:
eeprom仿真固件从内部闪光灯运行,从而访问 闪光灯将在需要闪光擦除或 编程(EEPROM初始化,可变更新或页面擦除)。作为 结果,未执行应用程序代码,并且中断 无法服务。
对于许多应用程序,这种行为可能是可以接受的,但是 具有实时约束的应用程序,您需要运行关键 内部RAM的过程。
在这种情况下:
- 在内部RAM中重新放置向量表。
- 从内部RAM执行所有关键过程并中断服务例程。编译器提供了声明功能的关键字 作为RAM功能;该功能从闪光灯复制到RAM 系统启动就像任何初始化变量一样。重要的是要 请注意,对于RAM函数,所有使用的变量都称为 功能应在RAM内。
因此,我在互联网上搜索并找到了AN4808,该AN4808提供了有关如何在Flash操作时保持中断运行的示例。
我继续修改了我的代码:
链接脚本:将向量表添加到SRAM并定义A .RAMFUNC Section
/* stm32f417.dld */
ENTRY(Reset_Handler)
MEMORY
{
ccmram(xrw) : ORIGIN = 0x10000000, LENGTH = 64k
sram : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 112k
eeprom_default : ORIGIN = 0x08004008, LENGTH = 16376
eeprom_s1 : ORIGIN = 0x08008000, LENGTH = 16k
eeprom_s2 : ORIGIN = 0x0800C000, LENGTH = 16k
flash_unused : ORIGIN = 0x08010000, LENGTH = 64k
flash : ORIGIN = 0x08020000, LENGTH = 896k
}
_end_stack = 0x2001BFF0;
SECTIONS
{
. = ORIGIN(eeprom_default);
.eeprom_data :
{
*(.eeprom_data)
} >eeprom_default
. = ORIGIN(flash);
.vectors :
{
_load_vector = LOADADDR(.vectors);
_start_vector = .;
*(.vectors)
_end_vector = .;
} >sram AT >flash
.text :
{
*(.text)
*(.rodata)
*(.rodata*)
_end_text = .;
} >flash
.data :
{
_load_data = LOADADDR(.data);
. = ALIGN(4);
_start_data = .;
*(.data)
} >sram AT >flash
.ramfunc :
{
. = ALIGN(4);
*(.ramfunc)
*(.ramfunc.*)
. = ALIGN(4);
_end_data = .;
} >sram AT >flash
.ccmram :
{
_load_ccmram = LOADADDR(.ccmram);
. = ALIGN(4);
_start_ccmram = .;
*(.ccmram)
*(.ccmram*)
. = ALIGN(4);
_end_ccmram = .;
} > ccmram AT >flash
.bss :
{
_start_bss = .;
*(.bss)
_end_bss = .;
} >sram
. = ALIGN(4);
_start_stack = .;
}
_end = .;
PROVIDE(end = .);
重置处理程序:添加了矢量表复制SRAM并定义A .RAMFUNC SERCEMT
void Reset_Handler(void)
{
unsigned int *src, *dst;
/* Copy vector table from flash to RAM */
src = &_load_vector;
dst = &_start_vector;
while (dst < &_end_vector)
*dst++ = *src++;
/* Copy data section from flash to RAM */
src = &_load_data;
dst = &_start_data;
while (dst < &_end_data)
*dst++ = *src++;
/* Copy data section from flash to CCRAM */
src = &_load_ccmram;
dst = &_start_ccmram;
while (dst < &_end_ccmram)
*dst++ = *src++;
/* Clear the bss section */
dst = &_start_bss;
while (dst < &_end_bss)
*dst++ = 0;
SystemInit();
SystemCoreClockUpdate();
RCC->AHB1ENR = 0xFFFFFFFF;
RCC->AHB2ENR = 0xFFFFFFFF;
RCC->AHB3ENR = 0xFFFFFFFF;
RCC->APB1ENR = 0xFFFFFFFF;
RCC->APB2ENR = 0xFFFFFFFF;
RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_GPIOAEN;
RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_GPIOBEN;
RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_GPIOCEN;
RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_GPIODEN;
RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_GPIOEEN;
RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_GPIOFEN;
RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_GPIOGEN;
RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_GPIOHEN;
RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_GPIOIEN;
RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_CCMDATARAMEN;
main();
while(1);
}
system_stm32f4xxx.c: tocnected vect_tab_sram define
/*!< Uncomment the following line if you need to relocate your vector Table in
Internal SRAM. */
#define VECT_TAB_SRAM
#define VECT_TAB_OFFSET 0x00 /*!< Vector Table base offset field.
This value must be a multiple of 0x200. */
添加了ramfunc的定义以设置部分属性:
#define RAMFUNC __attribute__ ((section (".ramfunc")))
在UART相关功能和原型之前添加ramfunc,因此它可以从RAM运行。
RAMFUNC void USART1_IRQHandler(void)
{
uint32_t sr = USART1->SR;
USART1->SR & USART_SR_ORE ? GPIO_SET(LED_ERROR_PORT, LED_ERROR_PIN_bp):GPIO_CLR(LED_ERROR_PORT, LED_ERROR_PIN_bp);
if(sr & USART_SR_TXE)
{
if(uart_1_send_write_pos != uart_1_send_read_pos)
{
USART1->DR = uart_1_send_buffer[uart_1_send_read_pos];
uart_1_send_read_pos = (uart_1_send_read_pos + 1) % USART_1_SEND_BUF_SIZE;
}
else
{
USART1->CR1 &= ~USART_CR1_TXEIE;
}
}
if(sr & (USART_SR_RXNE | USART_SR_ORE))
{
USART1->SR &= ~(USART_SR_RXNE | USART_SR_ORE);
uint8_t byte = USART1->DR;
uart_1_recv_buffer[uart_1_recv_write_pos] = byte;
uart_1_recv_write_pos = (uart_1_recv_write_pos + 1) % USART_1_RECV_BUF_SIZE;
}
}
我的目标在RAM中使用矢量表和UART功能正确运行,但我仍然在USART上占据了超支。执行Flash Write操作时,我也不会破坏中断。
我还尝试从CCM RAM而不是SRAM运行代码,但是我在此邮政编码上看到的是在STMF32F4XX上的CCM RAM上执行的代码...
有什么想法吗?谢谢。
任何试图从闪存中读取时,在写操作正在进行时会导致公共汽车停滞不前。
为了不被Flash Writes阻止,我认为不仅是中断代码,而且中断功能也必须从RAM运行,否则核心将在可能的中断时无法进入状态。
>尝试将闪存处理代码重新定位到RAM。
如果可能的话,我建议切换到具有两个独立的闪存库的MCU,例如PIN-和软件兼容的427/429/437/439系列。您可以将一家银行专用于程序代码,而将另一个银行专用于EEPROM状的数据存储,然后编写第二个银行不会打扰从第一银行运行的代码。
如建议,可能有必要从RAM执行代码;或者,请确保在进行写入时没有执行闪光读取操作。
要测试,您可能需要编译RAM的整个可执行文件,而不是闪存(即将所有内容都放入RAM而不是使用闪光灯)。
然后,您可以使用GDB加载二进制并开始执行...测试您的UART,并确保其正常工作。至少这样,您可以确定闪光灯未使用。
一些micros在编写部分同时执行多个操作时读取的部分。