使用用户数据写入和擦除内部闪存的次数

Question

在我的stm32 mcu上没有eeprom。因此，我使用内部闪存来保存一个字节的用户数据，以在电源循环之间保留它。，我是按照以下方式来做的

1. 在链接器脚本中的内存中添加数据段

   存储器{RAM(xrw(：原点=0x20000000，长度=8KFLASH(rx(：原点=0x8000000，长度=64KDATA(xrw(：ORIGIN=0x8003800，LENGTH=2K//已分配一个完整的闪存页}

2. 创建用户数据部分

   .user_data：{.=对齐(4(；*(.user_data(.=对齐(4(；}>数据

3. 创建一个变量存储在闪存中

   属性((部分((".user_data"((const uint8_t userConfig[64]

4. 使用以下功能写入数据，

   HAL_FLASH_Unlock((；

   __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_frag_OPERR | FLASH_filg_WRPERR | FLASH_FLAG_PGAERR | flashflag_PGSERR(；

   FLASH_Erase_Sector(FLASH_Sector_11，VOLTAGE_RANG_3(；

   HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD，&userConfig[index]，someData(；

   HAL_FLASH_Lock((；

我的问题是，通过这种方式可以对内部闪存进行多少次写入以保存用户数据？

Answer 1

STM32内部闪存的特性在产品数据表中始终有详细说明。例如，在STM32H743上，续航时间为10kcycles。

您可以从中推断出内部闪存不适合您的用例(除非电源循环是异常事件(。

如果你绝对需要多次编写内部Flash(我强烈怀疑(，你可能想看看Flash翻译层的概念。它是一个软件层，提供了一种虚拟到物理内存的映射，并允许减少闪存损耗。